Les composants électroniques de puissance à base de silicone ne doivent pas être soumis à des températures de plus de 125 °C et les IGBT à des températures supérieures à 150 °C. Les appareils SiC de demain pourraient leur permettre de supporter une température allant jusqu'à 200 °C. La gestion thermique des composants électroniques de puissance nécessite de mettre en place une interface entre l’emballage et le puits de chaleur à l’aide d'un matériau d'interface thermique (MIT).
Cette interface est généralement essentielle quant à l’impédance thermique générale et à la fiabilité à long terme. Bien que plusieurs graisses permettent d'obtenir de bonnes performances, l’effet de pompe et la séparation peuvent parfois réduire celles-ci. Les matériaux de changement de phase et les MIT polymérisables sur place sous forme de gel peuvent atteindre les mêmes performances que les graisses, mais également améliorer significativement la fiabilité à long terme.
Enfin, une automatisation significative dans le cadre de ces MIT peut permettre d'améliorer la productivité et les processus de fabrication. Cette présentation évoquera les différents matériaux de changement de phase – sous forme de rouleaux, en feuilles et pour découpage en dés, ainsi que les composants pouvant être appliqués par sérigraphie ou au pochoir par l'utilisateur final. En outre, on note de nouvelles avancées en termes de lignes de collage fines, de conductivité thermique importante et de gels polymérisables sur place pour une fiabilité renforcée.