La electrónica basada en dispositivos de silicio debe funcionar a menos de 125 °C y en el caso de IGBT la temperatura debe ser inferior a 150 °C. Los futuros dispositivos SiC podrían aumentar esta temperatura hasta los 200 °C. El manejo térmico de los dispositivos electrónicos requiere conectar el paquete a un disipador térmico con el empleo de un material de interfaz térmica (TIM).
En general, esta interfaz es crucial en términos del impacto sobre la impedancia térmica general y la fiabilidad a largo plazo. Mientras que varias grasas proporcionan un buen rendimiento al final de la línea, el bombeo y la separación pueden degradar el rendimiento térmico. Los materiales de cambio de fase, así como los geles de curado in situ, no solo pueden igualar el rendimiento de las grasas al final de la línea, sino que también intensifican significativamente la fiabilidad a largo plazo.
Finalmente, una automatización significativa en el caso de estos TIM puede mejorar la productividad y la fabricación. En esta presentación, daremos opciones para los materiales de cambio de fase tanto en procesados en bobinas o láminas y piezas troqueladas como también compuestos que pueden ser apantallados/estarcidos por el usuario final. Además, nuevos desarrollos en la línea de unión fina, alta conductividad térmica, geles de curado in situ para una elevada fiabilidad.