シリコーンデバイスをベースとしたパワーエレクトロニクスは125℃未満で、IGBTは150℃未満で動作しなければなりません。未来のSiCデバイスではこれが200℃まで拡張します。パワーエレクトロニクスの熱マネジメントでは、サーマルインターフェース材料（TIM）を使用してパッケージをヒートシンクに密着させる必要があります。
この密着は一般に、全体的な熱インピーダンスや長期的な信頼性への影響の観点から重要です。いくつかのグリースが良好な検査時性能を提供する一方で、ポンプアウトや分離によって熱的性能が劣化することがあります。フェイズチェンジ材料やゲル状のCure-in-PlaceTIMは、グリースの検査時性能に匹敵するだけでなく、長期的な信頼性を大幅に向上させることができます。
最後に、これらのTIMについては、大幅な自動化によって生産性と製造能力を向上することができます。このプレゼンテーションでは、シートやダイカットパーツとして加工されるロールと、お客様がスクリーン/ステンシル印刷可能なコンパウドの両方のフェイズチェンジ材料のためのオプションを紹介します。さらに、信頼性向上のための薄いボンドライン、高い熱伝導性、ゲル状のCure-in-PlaceTIMの新たな開発についても考察します。